SiC MOSFETs C3M™ in TOLL Package

Wolfspeed SiC MOSFETs C3M™ in the TOLL Package offer a much lower on-state resistance temperature dependence than standard silicon MOSFETs. The MOSFETs feature superior switching speeds and low conduction loss, which is critical to achieving high efficiency at high power for next-generation power supplies. The SiC MOSFETs are optimized for high-performance power electronics applications, including enterprise, server, and telecom power supplies, electric vehicle charging, energy storage, and battery management systems.

Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1 726Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1 133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
862Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
772Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement