|
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,20 €
-
724Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
724Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
59 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
228 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,56 €
-
1 751Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 751Prieinamumas
|
|
|
12,56 €
|
|
|
7,56 €
|
|
|
7,46 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
34 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
62 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
189 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,65 €
-
313Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
313Prieinamumas
|
|
|
9,65 €
|
|
|
6,15 €
|
|
|
5,29 €
|
|
|
4,76 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
39 A
|
64 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,59 €
-
69Prieinamumas
-
25 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
69Prieinamumas
25 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
69 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000 Tikėtina 2027-01-07
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
|
4,59 €
|
|
|
2,39 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
5.2 A
|
1 Ohms
|
- 10 V, + 20 V
|
4.5 V
|
5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,32 €
-
142Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-10-29
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
142Prieinamumas
240Tikėtina 2026-10-29
|
|
|
6,32 €
|
|
|
3,67 €
|
|
|
3,37 €
|
|
|
3,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
19 A
|
182 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
3.5 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,57 €
-
2 160Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 160Pagal užsakymą
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
15,57 €
|
|
|
11,86 €
|
|
|
9,88 €
|
|
|
8,80 €
|
|
|
8,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
40 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.7 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,82 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
|
7,82 €
|
|
|
5,62 €
|
|
|
4,06 €
|
|
|
3,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
94 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
