|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
- SCT3080KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
20,57 €
-
1 104Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3080KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
|
|
1 104Prieinamumas
|
|
|
20,57 €
|
|
|
13,05 €
|
|
|
11,65 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
- SCT3030KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
67,23 €
-
685Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3030KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
|
|
685Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
- SCT3022ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
39,87 €
-
258Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3022ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
|
|
258Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
- SCT3030ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
24,34 €
-
84Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3030ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
|
|
84Prieinamumas
|
|
|
24,34 €
|
|
|
18,24 €
|
|
|
17,17 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
- SCT3040KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
36,11 €
-
139Prieinamumas
-
450Tikėtina 2027-01-18
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3040KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
|
|
139Prieinamumas
450Tikėtina 2027-01-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
- SCT3080ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
10,34 €
-
867Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3080ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
|
|
867Prieinamumas
|
|
|
10,34 €
|
|
|
6,52 €
|
|
|
6,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
- SCT3120ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
9,21 €
-
413Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3120ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
|
|
413Prieinamumas
|
|
|
9,21 €
|
|
|
5,89 €
|
|
|
5,05 €
|
|
|
4,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
- SCT3160KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
9,06 €
-
1 805Prieinamumas
-
450Tikėtina 2026-09-01
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3160KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
|
|
1 805Prieinamumas
450Tikėtina 2026-09-01
|
|
|
9,06 €
|
|
|
5,95 €
|
|
|
5,18 €
|
|
|
4,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
- SCT3060ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
14,13 €
-
64Prieinamumas
-
1 350Tikėtina 2026-10-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3060ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
|
|
64Prieinamumas
1 350Tikėtina 2026-10-28
|
|
|
14,13 €
|
|
|
9,15 €
|
|
|
8,18 €
|
|
|
8,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
- SCT2H12NZGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
7,36 €
-
1 190Tikėtina 2027-01-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT2H12NZGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
|
|
1 190Tikėtina 2027-01-12
|
|
|
7,36 €
|
|
|
4,27 €
|
|
|
3,89 €
|
|
|
3,73 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
- BD7682FJ-LB-EVK-402
- ROHM Semiconductor
-
1:
405,83 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BD7682FJLBEVK402
|
ROHM Semiconductor
|
Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva