|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R12ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
120,82 €
-
17Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
|
|
17Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
450 A
|
100 nA
|
|
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
- IFF600B12ME4PB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
186,65 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IFF600B12ME4PB11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.75 V
|
600 A
|
400 nA
|
|
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Press Fit
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT Module 1400A 1700V
- FF1400R17IP4
- Infineon Technologies
-
1:
694,13 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF1400R17IP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT Module 1400A 1700V
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Modules
|
Dual
|
1.7 kV
|
1.75 V
|
1.4 kA
|
400 nA
|
9.55 kW
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai PP IHM I
- FF1400R12IP4
- Infineon Technologies
-
1:
670,30 €
-
15Prieinamumas
-
528Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF1400R12IP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai PP IHM I
|
|
15Prieinamumas
528Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
15 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
66 Tikėtina 2026-09-28
150 Tikėtina 2026-10-08
312 Tikėtina 2027-03-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
39 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.75 V
|
1.4 kA
|
400 nA
|
7.65 kW
|
PRIME3
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R12ME7B11NPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
219,99 €
-
15Prieinamumas
-
50Tikėtina 2027-02-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7B11N1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
15Prieinamumas
50Tikėtina 2027-02-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
IGBT Silicon Modules
|
Dual
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
900 A
|
100 nA
|
|
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 100 A PIM IGBT module
- FP100R12W3T7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
94,65 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FP100R12W3T7B111
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 100 A PIM IGBT module
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
3-Phase Inverter
|
1.2 kV
|
1.5 V
|
100 A
|
100 nA
|
|
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT Module 450A 1700V
Infineon Technologies FS450R17OE4
- FS450R17OE4
- Infineon Technologies
-
1:
529,96 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FS450R17OE4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT Module 450A 1700V
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Modules
|
6-Pack
|
1.7 kV
|
1.95 V
|
630 A
|
400 nA
|
2.4 kW
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Si
|
Tray
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 10 A PIM IGBT module
- FP10R12W1T7B11BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
28,90 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FP10R12W1T7B11BO
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 10 A PIM IGBT module
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
IGBT Silicon Modules
|
3-Phase Inverter
|
1.2 kV
|
1.6 V
|
10 A
|
100 nA
|
|
AG-EASY1B-2
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
Si
|
Tray
|
|
