CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

Rezultatai: 71
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Duomenų Lapas
712Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
134Prieinamumas
240Tikėtina 2027-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
4 000Tikėtina 2027-02-04
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
3 000Tikėtina 2026-09-10
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 1 700
Daugkart.: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 1 700
Daugkart.: 1 700
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 19 Savaičių
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube