PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Technologijos
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
374Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
712Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
768Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
728Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
792Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
552Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
2 500Tikėtina 2026-11-20
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si