Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 102
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
IXYS MOSFETs 56 Amps 150V 36 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 60 Amps 200V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 25 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5
IXYS MOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 130 Amps 150V 12 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 160Amps 150V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO247 250V 86A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 96 Amps 250V 36 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-5
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs MOSFET Id130 BVdass100
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 42 Amps 150V 0.045 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 56 Amps 150V 36 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 31 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3