OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.

Rezultatai: 86
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
5 979Tikėtina 2026-09-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
10 000Tikėtina 2026-09-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
3 450Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 209 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 6 000
Daugkart.: 6 000
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 133 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube