UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Rezultatai: 23
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 278Prieinamumas
17,03 €
10,04 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26Prieinamumas
2 400Pagal užsakymą
Pjaunama Juosta
10,02 €
7,08 €
5,25 €
5,08 €
Ritė
4,90 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220 475Prieinamumas
10,31 €
5,94 €
5,50 €
5,05 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2 343Prieinamumas
Pjaunama Juosta
10,98 €
6,30 €
5,81 €
5,50 €
Ritė
5,50 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 626Prieinamumas
10,78 €
6,06 €
5,62 €
5,31 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583Prieinamumas
11,09 €
6,23 €
5,78 €
5,48 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24 1 142Prieinamumas
18,20 €
10,94 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26 618Prieinamumas
Pjaunama Juosta
16,54 €
10,37 €
9,68 €
Ritė
9,68 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892Prieinamumas
22,07 €
13,99 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247 1 166Prieinamumas
16,78 €
9,86 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 202Prieinamumas
25,27 €
18,86 €
18,79 €
16,62 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1 241Prieinamumas
Pjaunama Juosta
10,13 €
5,84 €
5,31 €
5,02 €
Ritė
5,02 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 619Prieinamumas
25,38 €
16,61 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 588Prieinamumas
800Tikėtina 2027-01-08
Pjaunama Juosta
7,96 €
4,36 €
4,01 €
3,78 €
Ritė
3,78 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4 1 041Prieinamumas
22,39 €
14,25 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 641Prieinamumas
18,21 €
10,96 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63Prieinamumas
12,01 €
6,71 €
6,40 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247 62Prieinamumas
23,23 €
14,08 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO2 166Prieinamumas
600Tikėtina 2026-12-18
10,18 €
5,74 €
5,31 €
4,97 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1 000Tikėtina 2026-11-10
17,54 €
10,51 €
9,89 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300Tikėtina 2027-01-15
9,98 €
6,81 €
5,68 €
5,06 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Pjaunama Juosta
11,59 €
6,73 €
6,28 €
5,94 €
Ritė
5,94 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Pjaunama Juosta
21,73 €
14,70 €
Ritė
14,70 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET