10 A Puslaidininkiai

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 11 550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 6 958Prieinamumas
7 500Tikėtina 2026-12-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 5 703Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

IXYS MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds 1 494Prieinamumas
1 900Tikėtina 2027-01-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS MOSFETs TO263 500V 10A P-CH POLAR 903Prieinamumas
4 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800


IXYS MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL 277Prieinamumas
300Tikėtina 2026-10-13
Min.: 1
Daugkart.: 1


IXYS MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds 497Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 11 783Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive) 2 284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 200V 10A TO-252 (DPAK) 2 396Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Toshiba MOSFETs PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V 94 968Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 26 493Prieinamumas
27 000Tikėtina 2026-12-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 6 294Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFETs UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV 4 976Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET 7 681Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp 3 183Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

onsemi MOSFETs NCH 2.5V COMMON-DRAIN 9 234Prieinamumas
12 000Tikėtina 2026-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 080
: 3 000


onsemi MOSFETs POWER MOSFET 3 722Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 140
: 4 000

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC 11 475Prieinamumas
24 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000


Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg 5 105Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Infineon Technologies MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC 4 795Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000
Infineon Technologies MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC 48 410Prieinamumas
33 355Tikėtina 2026-09-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II 434Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG 524Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1