|
|
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
- IPB80N06S4L07ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
2,28 €
-
4 106Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB80N06S4L07ATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
|
|
4 106Prieinamumas
|
|
|
2,28 €
|
|
|
1,12 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,802 €
|
|
|
0,738 €
|
|
|
0,701 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
- IPI086N10N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
2,19 €
-
2 707Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPI086N10N3G
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
|
|
2 707Prieinamumas
|
|
|
2,19 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,788 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,69 €
|
|
|
0,667 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,74 €
-
190Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R018CFD7XKS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs HIGH POWER_NEW
|
|
190Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
- SI7223DN-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,51 €
-
3 967Prieinamumas
-
6 000Tikėtina 2026-09-14
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SI7223DN-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
|
|
3 967Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-09-14
|
|
|
1,51 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,639 €
|
|
|
0,503 €
|
|
|
0,403 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,459 €
|
|
|
0,398 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
- SIA483DJ-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,705 €
-
59 842Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIA483DJ-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
|
|
59 842Prieinamumas
|
|
|
0,705 €
|
|
|
0,436 €
|
|
|
0,281 €
|
|
|
0,214 €
|
|
|
0,193 €
|
|
|
0,165 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
- SIR120DP-T1-RE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,32 €
-
9 881Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIR120DP-T1-RE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
|
|
9 881Prieinamumas
|
|
|
2,32 €
|
|
|
1,49 €
|
|
|
1,04 €
|
|
|
0,84 €
|
|
|
0,835 €
|
|
|
0,835 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A
- SIR1309DP-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,32 €
-
6 101Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIR1309DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A
|
|
6 101Prieinamumas
|
|
|
1,32 €
|
|
|
0,828 €
|
|
|
0,55 €
|
|
|
0,43 €
|
|
|
0,392 €
|
|
|
0,342 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
- SIR170DP-T1-RE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,63 €
-
12 761Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIR170DP-T1-RE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
|
|
12 761Prieinamumas
|
|
|
2,63 €
|
|
|
1,70 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
0,957 €
|
|
|
0,957 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
- SIRA50ADP-T1-RE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,12 €
-
5 933Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SIRA50ADP-T1-RE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
|
|
5 933Prieinamumas
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,37 €
|
|
|
0,937 €
|
|
|
0,814 €
|
|
|
0,814 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
- SQA403EJ-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,851 €
-
7 076Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQA403EJ-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
|
|
7 076Prieinamumas
|
|
|
0,851 €
|
|
|
0,53 €
|
|
|
0,345 €
|
|
|
0,265 €
|
|
|
0,239 €
|
|
|
0,206 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
- SQJ454EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,70 €
-
4 636Prieinamumas
-
3 000Tikėtina 2026-08-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQJ454EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
|
|
4 636Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-08-24
|
|
|
1,70 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
0,729 €
|
|
|
0,577 €
|
|
|
0,528 €
|
|
|
0,471 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQS164ELNW-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,31 €
-
3 870Prieinamumas
-
3 000Tikėtina 2026-10-02
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQS164ELNW-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
3 870Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-10-02
|
|
|
1,31 €
|
|
|
0,823 €
|
|
|
0,546 €
|
|
|
0,427 €
|
|
|
0,389 €
|
|
|
0,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-220
- SUP80090E-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
3,72 €
-
2 812Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SUP80090E-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-220
|
|
2 812Prieinamumas
|
|
|
3,72 €
|
|
|
2,45 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,56 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
- SI2343CDS-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,817 €
-
13 152Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SI2343CDS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
|
|
13 152Prieinamumas
|
|
|
0,817 €
|
|
|
0,506 €
|
|
|
0,329 €
|
|
|
0,252 €
|
|
|
0,227 €
|
|
|
0,195 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
- SI4202DY-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,78 €
-
3 813Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SI4202DY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
|
|
3 813Prieinamumas
|
|
|
1,78 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
0,764 €
|
|
|
0,605 €
|
|
|
0,555 €
|
|
|
0,499 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
- SI7288DP-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,90 €
-
15 705Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SI7288DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
|
|
15 705Prieinamumas
|
|
|
1,90 €
|
|
|
1,22 €
|
|
|
0,823 €
|
|
|
0,655 €
|
|
|
0,601 €
|
|
|
0,549 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
- SIR770DP-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,16 €
-
2 964Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SIR770DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
|
|
2 964Prieinamumas
|
|
|
2,16 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,787 €
|
|
|
0,697 €
|
|
|
0,635 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
- SQA410EJ-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,92 €
-
6 840Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SQA410EJ-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
|
|
6 840Prieinamumas
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,576 €
|
|
|
0,377 €
|
|
|
0,291 €
|
|
|
0,262 €
|
|
|
0,226 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified
- SQJ422EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
2,22 €
-
3 105Prieinamumas
-
6 000Tikėtina 2026-08-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SQJ422EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified
|
|
3 105Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-08-21
|
|
|
2,22 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
0,98 €
|
|
|
0,781 €
|
|
|
0,719 €
|
|
|
0,679 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R040M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,24 €
-
874Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMZHN120R040M1T
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
874Prieinamumas
|
|
|
12,24 €
|
|
|
7,43 €
|
|
|
6,65 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET 60V
- BSC028N06NSTATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,54 €
-
7 626Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSC028N06NSTATM1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET 60V
|
|
7 626Prieinamumas
|
|
|
2,54 €
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
0,955 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,894 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
- TQM240NH10CR RLG
- Taiwan Semiconductor
-
1:
1,59 €
-
4 978Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-TQM240NH10CRRLG
Naujas Produktas
|
Taiwan Semiconductor
|
MOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
|
|
4 978Prieinamumas
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,679 €
|
|
|
0,535 €
|
|
|
0,47 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,489 €
|
|
|
0,452 €
|
|
|
0,428 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 4A/6A 5-kVRMS dual- channel isolated gat
- UCC21550ADWKR
- Texas Instruments
-
1:
1,45 €
-
1 302Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21550ADWKR
|
Texas Instruments
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 4A/6A 5-kVRMS dual- channel isolated gat
|
|
1 302Prieinamumas
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,972 €
|
|
|
0,869 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,776 €
|
|
|
0,811 €
|
|
|
0,78 €
|
|
|
0,776 €
|
|
|
0,776 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
:
2 000
|
|
|
|
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės P4/N6A DUAL CH ISO G DIC 8V UVLO DISABLE
- UCC21550BDWR
- Texas Instruments
-
1:
1,65 €
-
640Prieinamumas
-
6 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21550BDWR
|
Texas Instruments
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės P4/N6A DUAL CH ISO G DIC 8V UVLO DISABLE
|
|
640Prieinamumas
6 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
640 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000 Tikėtina 2026-08-26
4 000 Tikėtina 2026-12-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,21 €
|
|
|
1,11 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,929 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,821 €
|
|
|
0,806 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 4A/6A 5kVRMS dual-ch annel isolated gate
- UCC21551ADWR
- Texas Instruments
-
1:
1,45 €
-
1 592Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UCC21551ADWR
|
Texas Instruments
|
Optiškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 4A/6A 5kVRMS dual-ch annel isolated gate
|
|
1 592Prieinamumas
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,972 €
|
|
|
0,869 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,776 €
|
|
|
0,811 €
|
|
|
0,78 €
|
|
|
0,776 €
|
|
|
0,776 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 001
:
2 000
|
|
|
