|
|
JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
-
1:
59,28 €
-
592Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
431-UG3SC120009K4S
|
onsemi
|
JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO
|
|
592Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
25,37 €
-
549Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS080B120S1-E1
|
SemiQ
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
|
|
549Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
10,63 €
-
834Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGHL50T65SQDC
|
onsemi
|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
|
|
834Prieinamumas
|
|
|
10,63 €
|
|
|
6,37 €
|
|
|
5,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
- UJ3N120035K3S
- onsemi
-
1:
32,71 €
-
533Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
431-UJ3N120035K3S
|
onsemi
|
JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
|
|
533Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
610,02 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
- MSC017SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
40,95 €
-
160Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC017SMA120S
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
|
|
160Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
10,35 €
-
417Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
|
onsemi
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
|
|
417Prieinamumas
|
|
|
10,35 €
|
|
|
6,19 €
|
|
|
5,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC100SM70JCU3
- Microchip Technology
-
1:
43,54 €
-
6Prieinamumas
-
176Tikėtina 2026-11-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC100SM70JCU3
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
6Prieinamumas
176Tikėtina 2026-11-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
626,97 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
143,76 €
-
37Prieinamumas
-
100Tikėtina 2027-01-14
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1004ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1004
|
|
37Prieinamumas
100Tikėtina 2027-01-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
61,85 €
-
90Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1011ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1011
|
|
90Prieinamumas
|
|
|
61,85 €
|
|
|
58,90 €
|
|
|
48,23 €
|
|
|
48,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
73,23 €
-
80Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-QPD1014ASR
Naujas Produktas
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1014
|
|
80Prieinamumas
|
|
|
73,23 €
|
|
|
71,41 €
|
|
|
57,49 €
|
|
|
57,49 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
100
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
24,77 €
-
33Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
33Prieinamumas
|
|
|
24,77 €
|
|
|
21,58 €
|
|
|
20,50 €
|
|
|
19,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
33,59 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG25N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,26 €
-
882Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIGBG25N120S7ATM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
882Prieinamumas
|
|
|
4,26 €
|
|
|
2,79 €
|
|
|
2,08 €
|
|
|
1,74 €
|
|
|
1,62 €
|
|
|
1,51 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
IGBT FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
- AFGBG70T65SQDC
- onsemi
-
1:
8,63 €
-
720Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-AFGBG70T65SQDC
Naujas Produktas
|
onsemi
|
IGBT FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
|
|
720Prieinamumas
|
|
|
8,63 €
|
|
|
5,93 €
|
|
|
5,93 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 72
:
800
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
- APT100GT120JU3
- Microchip Technology
-
1:
32,99 €
-
23Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT100GT120JU3
|
Microchip Technology
|
Igbt Moduliai PM-IGBT-TFS-SOT227
|
|
23Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,40 €
-
473Prieinamumas
-
1 000Tikėtina 2027-09-01
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIGBG15N120S7ATM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
473Prieinamumas
1 000Tikėtina 2027-09-01
|
|
|
3,40 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
1,56 €
|
|
|
1,30 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
1,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
16,41 €
-
1 670Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT44R011M2HXTMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 670Prieinamumas
|
|
|
16,41 €
|
|
|
11,67 €
|
|
|
10,27 €
|
|
|
9,72 €
|
|
|
9,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
JFETs UF3N120007K4S
- UF3N120007K4S
- onsemi
-
1:
55,24 €
-
1 099Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UF3N120007K4S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs UF3N120007K4S
|
|
1 099Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 112
|
|
|
|
|
JFETs UG4SC075005L8S
- UG4SC075005L8S
- onsemi
-
1:
47,49 €
-
967Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UG4SC075005L8S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs UG4SC075005L8S
|
|
967Prieinamumas
|
|
|
47,49 €
|
|
|
39,56 €
|
|
|
34,31 €
|
|
|
34,31 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 108
:
2 000
|
|
|
|
|
JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
- UG4SC075009K4S
- onsemi
-
1:
20,78 €
-
540Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UG4SC075009K4S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
|
|
540Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 54
|
|
|
|
|
JFETs UJ4N075004L8S
- UJ4N075004L8S
- onsemi
-
1:
39,93 €
-
1 767Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
772-UJ4N075004L8S
Naujas Produktas
|
onsemi
|
JFETs UJ4N075004L8S
|
|
1 767Prieinamumas
|
|
|
39,93 €
|
|
|
31,52 €
|
|
|
29,63 €
|
|
|
29,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 191
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF150SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
64,37 €
-
292Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SF150SA120
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
292Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF100SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
51,81 €
-
292Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SF100SA120
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET moduliai MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
292Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
