Pereiti prie Pagrindinio Turinio

+370 64003780

TTI specialistų šeimos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780 Atsiliepimai

Pakeisti vietovę

Prieinamumas

RoHS

Prisijungti
Esate naujas klientas? Pradėkite čia
Prisijungti
Esate naujas klientas? Pradėkite čia

Užsakymų istorija

Gam.	Mfr. #:	Kiekis	Išplėst. bendra suma

Peržiūrėti krepšelį

Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

GTRA412852FC-V1-R2

MACOM

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-GTRA412852FCV1R2

Mfr. #:

GTRA412852FC-V1-R2

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP

Duomenų Lapas:

GTRA412852FC-V1-R2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Įspėjimas dėl siuntimo:

Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
Siuntimo apribojimai:	Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
Prekės Ženklas:	MACOM
Pakavimas:	Reel
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	250
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GTRA412852FC-V1-R2 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

ATRINKTI PRODUKTAI

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

Sužinokite Daugiau

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

Sužinokite Daugiau

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

Sužinokite Daugiau

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

Sužinokite Daugiau

5 G RF JFET ir LDMOS FET

Termiškai patobulinti didelės galios tranzistoriai, skirti naujos kartos belaidžiam perdavimui.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.