BGB 741L7ESD E6327

Infineon Technologies
726-BGB741L7ESDE63
BGB 741L7ESD E6327

Gam.:

Aprašymas:
RF Stiprintuvas RF BIP TRANSISTORS

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 14 534

Turime sandėlyje:
14 534
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
15 000
Tikėtina 2026-04-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
12
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 7500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
0,86 € 0,86 €
0,736 € 7,36 €
0,688 € 17,20 €
0,636 € 63,60 €
0,602 € 150,50 €
0,572 € 286,00 €
0,549 € 549,00 €
0,547 € 2 188,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 7500)
0,477 € 3 577,50 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: RF Stiprintuvas
RoHS:  
50 MHz to 3.5 GHz
1.8 V to 4 V
10 mA
20 dB
1.05 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSLP-7-1
SiGe
- 6.5 dBm
1 dBm
- 55 C
+ 150 C
BGB741L7
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Kanalų skaičius: 1 Channel
Pd - skaidos galia: 120 mW
Gaminio tipas: RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis: 7500
Subkategorija: Wireless & RF Integrated Circuits
Test Dažnis: 150 MHz
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
Vieneto Svoris: 2 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.