Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GRF0030

Name: Guerrilla RF GRF0030
Brand: Guerrilla RF
SKU: 459-GRF0030
Price: 73.03 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

459-GRF0030

Mfr. #:

GRF0030

Gam.:

Guerrilla RF

Aprašymas:

RF Stiprintuvas Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 50W PSAT at 50V or 25W PSAT at 28V

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Guerrilla RF GRF0030

Prieinamumas: 35

Turime sandėlyje:: 35 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	73,03 €	73,03 €
	62,72 €	627,20 €
Visa Ritė (Užsakoma po 50)
	56,09 €	2 804,50 €
	54,52 €	5 452,00 €
250	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Guerrilla RF
Gaminio kategorija:	RF Stiprintuvas
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Guerrilla RF
Gaminio tipas:	RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Wireless & RF Integrated Circuits

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Videos

TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.