NCD57090ADWR2G

onsemi
863-NCD57090ADWR2G
NCD57090ADWR2G

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 821

Turime sandėlyje:
821 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,54 € 2,54 €
1,90 € 19,00 €
1,74 € 43,50 €
1,57 € 157,00 €
1,48 € 370,00 €
1,45 € 725,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
1,34 € 1 340,00 €
1,31 € 2 620,00 €
1,26 € 6 300,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
1 Output
6.5 A
20 V
20 V
Non-Inverting
13 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
NCD57090
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: onsemi
Gaminio tipas: Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Filipinai
Šalis, kurioje pagaminta:
Filipinai
Distribucijos šalis:
Japonija
Šalis gali keistis siuntimo metu.

NCD57090 & NCV57090 IGBT/MOSFET Gate Drivers

onsemi NCD57090 and NCV57090 IGBT/MOSFET Gate Drivers are high-current, single-channel gate drivers for IGBTs and MOSFETs, with 5kVrms internal galvanic isolation. The NCD57090 and NCV57090 provide high system efficiency and reliability in high-power applications. These devices accept complimentary inputs and, depending on the pin configuration, offer options such as Active Miller Clamp, negative power supply, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCD57090 and NCV57090 accommodate a wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20.0V.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.