167 MHz SRAM

Rezultatai: 143
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM
Duomenų Lapas
46Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM
Duomenų Lapas
256Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 143 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 4 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 260 mA - 40 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS
Duomenų Lapas
165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS
Duomenų Lapas
98Prieinamumas
360Tikėtina 2026-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 4 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 5 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 6 Savaičių
Min.: 14
Daugkart.: 14

72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 280 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10
144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray