GSI Technology SRAM

Rezultatai: 8 910
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis Organizavimas Prieigos laikas Didžiausias taktų dažnis Interface Type Maksimali Maitinimo Įtampa Maitinimo Įtampa - Min. Maitinimo Srovė - Maks. Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M 8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 53Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 285 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M 9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAM 50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 4.5 ns 333 MHz 3.6 V 2.3 V 1 A - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 72 18M 90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 256 k x 72 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 216Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M 30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

288 Mbit 8 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 560 mA, 840 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 35Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M 9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M 70Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M 10Prieinamumas
15Tikėtina 2026-02-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M 6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 144Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
144 Mbit 8 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 200MHz, Industrial Temp 48Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 37Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
50Tikėtina 2026-02-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
8Tikėtina 2026-02-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray