AS3008316-035nX0PTBY

Avalanche Technology
793-38316035NX0PTBY
AS3008316-035nX0PTBY

Gam.:

Aprašymas:
MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
Min. 1056   Užsakoma po 96
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
27,32 € 28 849,92 €
2 592 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Avalanche Technology
Gaminio kategorija: MRAM
RoHS:  
TSOP-54
Parallel
8 Mbit
512 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3008316
Tray
Prekės Ženklas: Avalanche Technology
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Gaminio tipas: MRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 96
Prekinis pavadinimas: STT-MRAM, MRAM
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.