SyncBurst SRAM

Rezultatai: 2 420
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 310 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 512 k x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36
18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36
18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36
18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 190 mA, 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray