SyncBurst SRAM

Rezultatai: 2 420
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10
Daugkart.: 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 285 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 285 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 320 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 335 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 36
Daugkart.: 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 18
Daugkart.: 18

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray