ISSI Integruoti Circuits - Integriniai Grandynai

Integrinių grandynų tipai - integriniai grandynai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 3 667
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 1 033Prieinamumas
864Tikėtina 2026-04-24
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 869


ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 568Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 85

ISSI SRAM 16M (512Kx32) 10ns Async SRAM 3.3v 374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 69

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 2 669Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 298

ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V 766Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 253

ISSI DRAM 512Mb, 3.3V, 143MHz 32Mx16 SDR SDRAM 181Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 38

ISSI NAND Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm 39Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10

ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 263Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2

ISSI DRAM 128M, 3.3V, 166Mhz 4Mx32 SDR SDRAM 675Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 143

ISSI SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM 405Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 69

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 785Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 79

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT 620Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 265

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT 237Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 16

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz 2 125Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 490

ISSI DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDR SDRAM 3.3v 4 263Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 911

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 198Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 271Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 17

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 316Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 82

ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 3 442Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 95

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 1 796Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2
Reel: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 1 646Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 86
Reel: 2 000


ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1

ISSI NOR Blykstė 4Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, T&R, new die rev 36 231Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 384
Reel: 3 000


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 966Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 15
Reel: 1 000

ISSI NOR Blykstė 32M QSPI, WSON ET 3 289Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 57
Reel: 4 000