ISSI Integruoti Circuits - Integriniai Grandynai

Integrinių grandynų tipai - integriniai grandynai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 3 668
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Duomenų Lapas
200Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 15

ISSI SRAM 4M 3.3V 250Mhz 128Kx36 Sync SRAM
Duomenų Lapas
46Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI SRAM 4M (128Kx32) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 5

ISSI SRAM 9Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
Duomenų Lapas
58Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Duomenų Lapas
62Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
171Tikėtina 2026-04-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 32

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
72Prieinamumas
108Tikėtina 2026-03-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45


ISSI SRAM 1Mb 3.6v 10ns 64Kx16 LPAsync SRAM
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Duomenų Lapas
178Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 7

ISSI DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 SDR SDRAM
Duomenų Lapas
73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L
Duomenų Lapas
92Prieinamumas
190Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 42

ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Duomenų Lapas
1 733Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 28

ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Duomenų Lapas
390Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 12

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 10ns LP Async SRAM A-Temp
Duomenų Lapas
88Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Duomenų Lapas
44Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3

ISSI SRAM 1Mb 10ns 128Kx8 Async SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
164Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Duomenų Lapas
21Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 200