CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
341Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
141Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
207Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 78 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
201Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 23 A 117 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 16 A 182 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 13 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement