Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4 315Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1 682Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 80 076Prieinamumas
49 450Tikėtina 2026-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 63 656Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-Signal MOSFET 46 318Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal Mosfet 20 933Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 107 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 34 161Prieinamumas
39 000Tikėtina 2026-07-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V + 175 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 50 038Prieinamumas
36 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC + 175 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8 377Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5 685Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 7 347Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 6 829Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 15 735Prieinamumas
42 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 3 058Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 43 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Channel Mosfet 8 131Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 1 106Prieinamumas
12 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 291Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 100Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-06-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 14 mOhms 38 W U-MOSIV Reel