Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (trr <=250ns). 

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
836Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
1 152Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
134Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Polar2 HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
300Tikėtina 2026-04-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 300
Daugkart.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 44 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 42 A 145 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Polar2 HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W Polar2 HiPerFET Tube