4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
ROHM Semiconductor MOSFETs HSOP8 100V 33A P CHAN
Duomenų Lapas
2 433Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 P-Channel 1 Channel 100 V 33 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 125 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Duomenų Lapas
4 215Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 P-Channel 1 Channel 100 V 2 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
Duomenų Lapas
2 130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5 A, 3.5 A 48 mOhms, 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 6.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
Duomenų Lapas
2 880Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A, 2.5 A 95 mOhms, 280 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 6.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape