Vishay IRFBC Serija MOSFETs

Rezultatai: 19
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1 518Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1 895Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1 920Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp 546Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1 053Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET 256Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 3.6 Amp 846Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp 502Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp 787Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1 361Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp 453Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH 1 944Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH 821Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V 437Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 Tube