STMicroelectronics MOSFETs

Rezultatai: 1 354
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
Duomenų Lapas
831Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge
Duomenų Lapas
867Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 14 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
1 049Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 30 Amp
Duomenų Lapas
725Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Duomenų Lapas
1 012Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
Duomenų Lapas
687Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Duomenų Lapas
1 938Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
Duomenų Lapas
3 412Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Duomenų Lapas
1 190Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
774Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 56.5 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
733Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Duomenų Lapas
2 400Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp
Duomenų Lapas
1 162Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 113 nC - 65 C + 150 C 417 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 45 Amp
Duomenų Lapas
848Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 45 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 134 nC - 65 C + 150 C 417 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 300 V 0.063 Ohm 42 A STripFET(TM)
Duomenų Lapas
926Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
Duomenų Lapas
1 096Prieinamumas
270Tikėtina 2026-02-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh
Duomenų Lapas
518Prieinamumas
600Tikėtina 2026-04-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
Duomenų Lapas
772Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Duomenų Lapas
400Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
174Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 46 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
1 618Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
Duomenų Lapas
1 908Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
832Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Duomenų Lapas
372Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 121 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
390Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube