STMicroelectronics MOSFETs

Rezultatai: 1 354
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
3 085Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
Duomenų Lapas
731Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
Duomenų Lapas
995Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
Duomenų Lapas
771Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 108 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
850Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-03-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 117 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
Duomenų Lapas
879Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 92 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 60 Volt 30 Amp
Duomenų Lapas
7 753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 40 mOhms - 18 V, 18 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100 Volt 50 Amp
Duomenų Lapas
2 433Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs Low charge STripFET
Duomenų Lapas
1 313Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
Duomenų Lapas
536Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET
Duomenų Lapas
1 250Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-04-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs PowerMESH MOSFET
Duomenų Lapas
1 497Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH
Duomenų Lapas
2 121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N Ch 250V 0.21 15A Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
1 928Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.2 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Duomenų Lapas
1 959Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
Duomenų Lapas
1 169Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
Duomenų Lapas
2 873Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
Duomenų Lapas
3 519Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 54 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
Duomenų Lapas
2 326Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 14 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 35 nC - 65 C + 175 C 110 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A
Duomenų Lapas
1 049Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs Low charge STripFET
Duomenų Lapas
2 957Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 75 Volt 80 Amp
Duomenų Lapas
2 123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 117 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N Ch 100V 0.012 Ohm 30A
Duomenų Lapas
1 683Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
Duomenų Lapas
1 540Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Duomenų Lapas
520Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube