|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F
- APTM10HM19FT3G
- Microchip Technology
-
1:
59,75 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APTM10HM19FT3G
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-FREDFET-5-SP3F
|
|
8Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SP-32
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
70 A
|
19 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
208 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai -32 Amps -600V 0.350 Rds
- IXTN32P60P
- IXYS
-
1:
31,44 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN32P60P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai -32 Amps -600V 0.350 Rds
|
|
25Prieinamumas
|
|
|
31,44 €
|
|
|
23,33 €
|
|
|
22,92 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
32 A
|
350 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
IXTN32P60
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
- IXFN75N120SK
- IXYS
-
1:
56,04 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
576-IXFN75N120SK
|
IXYS
|
MOSFET moduliai MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227B
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
75 A
|
55 mOhms
|
- 15 V, + 15 V
|
3.6 V
|
- 25 C
|
+ 150 C
|
700 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 180 Amps 150V 0.011 Rds
- IXFN180N15P
- IXYS
-
1:
25,72 €
-
1 261Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN180N15P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 180 Amps 150V 0.011 Rds
|
|
1 261Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
801 Tikėtina 2026-07-03
460 Tikėtina 2026-08-31
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
|
25,72 €
|
|
|
21,48 €
|
|
|
18,79 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
150 A
|
11 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
680 W
|
IXFN180N15
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 32 Amps 1200V
- IXFN32N120P
- IXYS
-
1:
67,66 €
-
589Tikėtina 2026-05-08
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN32N120P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 32 Amps 1200V
|
|
589Tikėtina 2026-05-08
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
32 A
|
310 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
6.5 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1 kW
|
HiPerFET
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 360 Amps 100V
- IXFN360N10T
- IXYS
-
1:
24,56 €
-
1 385Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN360N10T
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 360 Amps 100V
|
|
1 385Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
445 Tikėtina 2026-08-04
320 Tikėtina 2026-09-01
620 Tikėtina 2026-09-07
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
23 Savaičių
|
|
|
24,56 €
|
|
|
18,93 €
|
|
|
18,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
360 A
|
2.6 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
2.5 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
830 W
|
IXFN360N10
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
- IXFN360N15T2
- IXYS
-
1:
41,85 €
-
598Tikėtina 2026-09-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN360N15T2
|
IXYS
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
598Tikėtina 2026-09-07
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
310 A
|
4 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
5 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
1.07 mW
|
IXFN360N15
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
- IXFN520N075T2
- IXYS
-
1:
30,89 €
-
562Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN520N075T2
|
IXYS
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
562Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
262 Tikėtina 2026-08-04
300 Tikėtina 2026-08-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
31 Savaičių
|
|
|
30,89 €
|
|
|
26,83 €
|
|
|
23,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
75 V
|
480 A
|
1.9 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
2.5 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
940 W
|
IXFN520N075
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 22 Amps 1000V
- IXTN22N100L
- IXYS
-
1:
52,99 €
-
780Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN22N100L
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 22 Amps 1000V
|
|
780Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
300 Tikėtina 2026-04-10
480 Tikėtina 2026-05-22
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
32 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
22 A
|
600 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
5 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
700 W
|
IXTN22N100
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 62 Amps 500V
- IXTN62N50L
- IXYS
-
1:
66,62 €
-
240Tikėtina 2026-06-02
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN62N50L
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 62 Amps 500V
|
|
240Tikėtina 2026-06-02
|
|
|
66,62 €
|
|
|
53,83 €
|
|
|
49,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
62 A
|
100 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
3 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
800 W
|
IXTN62N50
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 500V 48A
- IXFN48N50
- IXYS
-
1:
38,07 €
-
1 021Tikėtina 2026-05-13
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN48N50
NRND
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 500V 48A
|
|
1 021Tikėtina 2026-05-13
|
|
|
38,07 €
|
|
|
32,35 €
|
|
|
28,66 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
48 A
|
100 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
520 W
|
HiPerFET
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
- MSC040SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
35,04 €
-
60Tikėtina 2026-03-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC040SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
|
|
60Tikėtina 2026-03-16
|
|
|
35,04 €
|
|
|
32,30 €
|
|
|
28,11 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
53 A
|
50 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
- MSC017SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
39,93 €
-
100Tikėtina 2026-04-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC017SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
|
|
100Tikėtina 2026-04-24
|
|
|
39,93 €
|
|
|
36,82 €
|
|
|
32,04 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
88 A
|
17.6 mOhms
|
- 10 V, + 23 V
|
2.7 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
278 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS7 500 V 38 mOhm SOT-227
- APT50M38JLL
- Microchip Technology
-
1:
66,05 €
-
171Tikėtina 2026-04-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT50M38JLL
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS7 500 V 38 mOhm SOT-227
|
|
171Tikėtina 2026-04-20
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
88 A
|
38 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
3 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
694 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai FREDFET MOS8 800 V 53 A SOT-227
- APT53F80J
- Microchip Technology
-
1:
54,70 €
-
209Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT53F80J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai FREDFET MOS8 800 V 53 A SOT-227
|
|
209Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
79 Tikėtina 2026-03-03
130 Tikėtina 2026-03-12
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
57 A
|
70 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
2.5 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
960 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai 230A 200V
- IXFN230N20T
- IXYS
-
1:
32,60 €
-
368Tikėtina 2026-08-13
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN230N20T
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 230A 200V
|
|
368Tikėtina 2026-08-13
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
220 A
|
7.5 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
3 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
1.09 mW
|
IXFN230N20
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai DIODE Id54 BVdass800
- IXFN60N80P
- IXYS
-
1:
38,76 €
-
310Tikėtina 2026-08-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN60N80P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai DIODE Id54 BVdass800
|
|
310Tikėtina 2026-08-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
53 A
|
140 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.04 mW
|
IXFN60N80
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai SIC A1HPM 1200 V
- NVVR26A120M1WST
- onsemi
-
1:
385,83 €
-
6Tikėtina 2026-03-10
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVVR26A120M1WST
"Mouser Naujiena"
|
onsemi
|
MOSFET moduliai SIC A1HPM 1200 V
|
|
6Tikėtina 2026-03-10
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
AHPM-15
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
400 A
|
|
- 10 V, + 25 V
|
3.2 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
1 kW
|
NVVR26A120M1WST
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai FREDFET MOS7 500 V 50 mOhm SOT-227
Microchip Technology APT50M50JFLL
- APT50M50JFLL
- Microchip Technology
-
1:
55,98 €
-
50Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT50M50JFLL
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai FREDFET MOS7 500 V 50 mOhm SOT-227
|
|
50Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
27 Tikėtina 2026-03-23
23 Tikėtina 2026-04-21
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
|
500 V
|
71 A
|
50 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
3 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
595 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS7 800 V 24 Ohm SOT-227
Microchip Technology APT8024JLL
- APT8024JLL
- Microchip Technology
-
1:
33,85 €
-
63Tikėtina 2026-03-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT8024JLL
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS7 800 V 24 Ohm SOT-227
|
|
63Tikėtina 2026-03-20
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
|
29 A
|
240 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
460 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-5-SOT227
- APT10M11JVRU3
- Microchip Technology
-
1:
24,64 €
-
31Tikėtina 2026-03-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT10M11JVRU3
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-5-SOT227
|
|
31Tikėtina 2026-03-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
142 A
|
11 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
2 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
450 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-7-SOT227
Microchip Technology APT5010JLLU2
- APT5010JLLU2
- Microchip Technology
-
1:
23,34 €
-
5Tikėtina 2026-04-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT5010JLLU2
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-7-SOT227
|
|
5Tikėtina 2026-04-24
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
|
- 30 V, + 30 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFN80N60P3
- IXYS
-
1:
30,89 €
-
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN80N60P3
|
IXYS
|
MOSFET moduliai Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
|
|
|
30,89 €
|
|
|
22,90 €
|
|
|
22,75 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
66 A
|
70 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
960 W
|
IXFN80N60
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
- GCMS008C120S1-E1
- SemiQ
-
1:
36,20 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS008C120S1-E1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
189 A
|
12 mOhms
|
- 8 V, + 22 V
|
4 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
536 W
|
GCMS
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
- GCMS016C120S1-E1
- SemiQ
-
1:
27,67 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS016C120S1-E1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
|
|
|
27,67 €
|
|
|
20,38 €
|
|
|
20,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
103 A
|
23 mOhms
|
- 8 V, + 22 V
|
4 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
303 W
|
GCMS
|
Tube
|
|
Lietuva
