Tube JFETs

Rezultatai: 18
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Configuration
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa
Užtvaro šaltinio išjungimo įtampa
Srovės srovė, kai VGS=0
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Kvalifikacija
Pakavimas
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO2
Duomenų Lapas
609Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO
Duomenų Lapas
538Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Duomenų Lapas
62Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
onsemi JFETs UF3N120007K4S
Duomenų Lapas
1 423Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Duomenų Lapas
575Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs UJ4N075005K4S
Duomenų Lapas
437Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4
Duomenų Lapas
617Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
Duomenų Lapas
604Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
Duomenų Lapas
325Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
Duomenų Lapas
558Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Duomenų Lapas
3 583Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 2.25 V - 20 mA - 10 nA 300 Ohms 360 mW - 55 C + 125 C SMPJ177 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
Duomenų Lapas
465Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO
Duomenų Lapas
513Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Duomenų Lapas
1 808Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube