1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė Pd - skaidos galia Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC 28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.69 V 255 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 44 Savaičių
Min.: 12
Daugkart.: 12

Si/SiC Hybrid Modules Tray