AEC-Q200 Tranzistoriai

Tranzistorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 148
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2 880Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5 850Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7 483Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7 007Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2 874Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5 892Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6 250Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 658Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2 420Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-05-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 962Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1 254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4 629Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7 757Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4 740Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5 810Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 6 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15 715Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 11 616Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15 837Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 2 700Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 5 457Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 9 793Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5 999Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3 NPN