Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVVR26A120M1WSB

Name: onsemi NVVR26A120M1WSB
Brand: onsemi
SKU: 863-NVVR26A120M1WSB
Price: 375.98 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVVR26A120M1WSB

Mfr. #:

NVVR26A120M1WSB

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai SIC A1HPM 1200 V

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

NVVR26A120M1WSB Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVVR26A120M1WSB

Prieinamumas: 24

Turime sandėlyje:: 24 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	375,98 €	375,98 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	AHPM-15
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	400 A
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3.2 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	1 kW
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Half-Bridge
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Rudens laikas:	51 ns
Aukštis:	5 mm
Ilgis:	55.2 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	59 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	6
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Power Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	220 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	125 ns
Plotis:	55.2 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVVR26A120M1WSB Duomenų Lapas

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules are part of the VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power module family for EV and HEV traction inverter applications. These SiC modules integrate a 1200V drain-source voltage in a half-bridge configuration and sintering technology for die attachment to enhance reliability and thermal performance. The NVVR26A120M1WSx modules feature an ultra-low R_DS(on), an aluminum nitride isolator, and ultra-low 7.1nH stray inductance. These SiC modules operate within a -40°C to +175°C temperature range and come in AHPM-15 packages. The NVVR26A120M1WSx modules are automotive AQG324 compliant and UL 94V-0 flammability rated.