Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
42 990Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 67 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
Duomenų Lapas
587 961Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
34 161Prieinamumas
39 000Tikėtina 2026-07-02
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V + 175 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
Duomenų Lapas
487Prieinamumas
1 290Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube