STMicroelectronics STQ1HNK60R Serija MOSFETs

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0 A
Duomenų Lapas
3 943Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 2.25 V 7 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
Duomenų Lapas
7 635Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 600 V 400 mA 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.25 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Ammo Pack