|
|
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2102
- EPC
-
2 500:
4,73 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2102
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 2 500
Daugkart.: 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-75
|
N-Channel
|
2 Channel
|
60 V
|
30 A
|
4.9 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
8 nC, 11 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2104
- EPC
-
2 500:
4,73 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2104
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 2 500
Daugkart.: 500
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
|
2 Channel
|
100 V
|
30 A
|
6.8 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.8 nC, 6.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2110
- EPC
-
12 500:
0,894 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2110
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 12 500
Daugkart.: 2 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
2 Channel
|
120 V
|
3.4 A
|
110 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2221
- EPC
-
12 500:
1,03 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2221
|
EPC
|
GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 12 500
Daugkart.: 2 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
5 A
|
58 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.85 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2234
- EPC
-
2 500:
5,68 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2234
Naujas Produktas
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 2 500
Daugkart.: 500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
1 Channel
|
160 V
|
48 A
|
8 mOhms
|
- 4 V
|
2.5 V
|
11.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8002
- EPC
-
12 500:
1,38 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC8002
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
|
|
Min.: 12 500
Daugkart.: 2 500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
65 V
|
2 A
|
480 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
133 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
Lietuva