Advanced Linear Devices SAB MOSFETs

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Duomenų Lapas
154Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Duomenų Lapas
66Prieinamumas
500Tikėtina 2026-03-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Duomenų Lapas
49Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Duomenų Lapas
50Tikėtina 2026-03-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 1 Savaitė
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 1 Savaitė
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 23 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 2.8 mOhms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube