Advanced Linear Devices MOSFETs

Rezultatai: 109
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.30V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.40V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.60V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 390 Ohms - 12 V, 12 V 2.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50
Reel: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 3.02 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Reel