Advanced Linear Devices MOSFETs

Rezultatai: 109
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SOIC-16 Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY Vt=1.60V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.62 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.82 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.92 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.30V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.40V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.60V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 23 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 2.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.80V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 2.8 mOhms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.80V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 2.82 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50
Si
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.62 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.82 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.92 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube