Advanced Linear Devices MOSFETs

Rezultatai: 109
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Duomenų Lapas
47Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Duomenų Lapas
176Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Duomenų Lapas
50Tikėtina 2026-03-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 40 mA, 16 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Duomenų Lapas
34Tikėtina 2026-03-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
50Tikėtina 2026-03-04
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
Duomenų Lapas
150Tikėtina 2026-03-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 1 Savaitė
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube