STGH30H65DFB-2AG

STMicroelectronics
511-STGH30H65DFB-2AG
STGH30H65DFB-2AG

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 461

Turime sandėlyje:
461 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
3,39 € 3,39 €
2,23 € 22,30 €
1,61 € 161,00 €
1,43 € 715,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
1,23 € 1 230,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
H2PAK-2
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: CN
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: IGBTs
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.