Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Name: Infineon FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS17MR12W2M1HB11
Price: 96.08 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-FS17MR12W2M1HB11

Mfr. #:

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFET moduliai EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Prieinamumas: 30

Turime sandėlyje:: 30 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	96,08 €	96,08 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Press Fit
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	40 A
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.15 V
Pd - skaidos galia:	20 mW
Serija:	EasyPACK 2B
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Hex
Rudens laikas:	12 ns
Aukštis:	1.4 mm
Jei – tiesioginė srovė:	16 A
Ilgis:	56.7 mm
Gaminys:	MOSFET Modules
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	29 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	15
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	39 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	32 ns
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Vf - tiesioginė įtampa:	4.2 V
Plotis:	48 mm
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	FS17MR12W2M1H_B11_A SP005958141

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.