Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Serija Pakavimas
onsemi MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 49Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET moduliai 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 26Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET moduliai 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET moduliai 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 27Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 129 A 8.5 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 371 W NXH008T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET moduliai 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 91 A 11.9 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 272 W NXH011T120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET moduliai 30KW Q1BOOST FULL SIC 6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC - 40 C + 150 C 156 W NXH40B120MNQ1 Tray