Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Serija
Pakavimas
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai 300A SiC Power Module
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Duomenų Lapas
11Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.26 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 4
Daugkart.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk