1700V Dual IGBT Modules

Infineon Technologies 1700V Dual IGBT Modules are qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749, and 60068. The modules have electrical features like VCES = 1700V, IC nom up to 1500A/ICRM = 3000A. The devices also feature an integrated temperature sensor, high current density, and low VCE.

Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Pakuotė / Korpusas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 200 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 2.3 V 310 A 100 nA 1.25 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF225R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 225 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 225 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5RBPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 13 Savaičių
Min.: 2
Daugkart.: 2

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray