Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NXH350N100H4Q2F2P1G

Name: onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH350N100H4Q2F2
Price: 148.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NXH350N100H4Q2F2

Mfr. #:

NXH350N100H4Q2F2P1G

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

Igbt Moduliai GEN1.5 1500V MASS MARKET

Duomenų Lapas:

NXH350N100H4Q2F2P1G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G

Prieinamumas: 7

Turime sandėlyje:: 7 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 7 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	148,32 €	148,32 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	Igbt Moduliai
RoHS:
Gaminys:	IGBT Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.63 V, 1.75 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	303 A, 298 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	2 uA
Pd - skaidos galia:	592 W, 731 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	onsemi
Gaminio tipas:	IGBT Modules
Serija:	NXH350N100H4Q2F2P1G
Gamyklinės pakuotės kiekis:	12
Subkategorija:	IGBTs
Technologijos:	SiC, Si
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NXH350N100H4Q2F2P1G Duomenų Lapas

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Power Integrated Modules (PIMs)

onsemi Power Integrated Modules (PIMs) integrate a 3-phase inverter circuit, a diode bridge circuit, and a braking circuit into a single module. PIMs are designed to maximize power delivery combined with a reduced footprint, where external control and a high voltage gate drive are required.

Three-Level NPC Q2Pack & Q2BOOST Modules

onsemi NXH350N100H4Q2F2 Three-Level NPC Q2Pack Modules are power integrated modules (PIM) containing a single I-type NPC stage. The I-type NPC stage includes 100A, 1200V SiC diodes for the neutral point clamps, 350A, 1000V IGBTs for the outer IGBTs and 400A, 1000V IGBTs for the inner IGBTs. The onsemi NXH350N100H4Q2F2 Q2Pack Module offers higher output power than other 1200V IGBT solutions and contains an onboard thermistor. onsemi Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses with the flexibility to support different manufacturing processes.