Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

APTMC120TAM17CTPAG

Name: Microchip APTMC120TAM17CTPAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MC120TAM17CTPAG
Price: 1483.47 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser #:

494-MC120TAM17CTPAG

Mfr. #:

APTMC120TAM17CTPAG

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai DOR CC6542

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:

APTMC120TAM17CTPAG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 53 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 483,47 €	1 483,47 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Gaminio tipas:	Discrete Semiconductor Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Discrete Semiconductor Modules

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.