Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NXH004P120M3F2PNG

Name: onsemi NXH004P120M3F2PNG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH004P120M3F2PNG
Price: 207.49 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-XH004P120M3F2PNG

Mfr. #:

NXH004P120M3F2PNG

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

NXH004P120M3F2PNG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 20

Turime sandėlyje:: 20 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	207,49 €	207,49 €
	189,08 €	1 890,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai
RoHS:
Gaminys:	SiC Modules
Tipas:	Half Bridge
Technologijos:	SiC
Vf - tiesioginė įtampa:	5.1 V
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Montavimo stilius:	Press Fit
Pakuotė / Korpusas:	PIM-36
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	NXH004P120M3F2PNG
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Half Bridge
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	15 ns
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	338 A
Pd - skaidos galia:	1.098 kW
Gaminio tipas:	Discrete Semiconductor Modules
RDS On - Drain-Source Varža:	5.5 mOhms
Kilimo Laikas:	15 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	20
Subkategorija:	Discrete Semiconductor Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	127 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	49 ns
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.8 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NXH004P120M3F2PNG Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.